Алексей Петров о физике атомных процессов на поверхностях полупроводниковых материалов
Ученые из новосибирского Института физики полупроводников ищут ответ на вопрос: как именно происходит эпитаксиальный рост на реальной кристаллической поверхности кремния на начальных стадиях осаждения как самого кремния, так и германия с оловом ― элементов одной группы с кремнием. И тут научный интерес разбивается на две ветви: с одной стороны, наука пытается описать, как с фундаментальной точки зрения взаимодействуют между собой одинаковые атомы и атомы различных материалов на кристаллической поверхности. С другой стороны, практической – они выясняют, как при конкретных ростовых условиях получить на подложке кремния однослойные и многослойные структуры с разным составом заданного кристаллического совершенства, применимые для создания перспективных низкоразмерных структур. Подробности в подкасте «3.14 Будущее наступило» у Алексей Петрова младшего научного сотрудника Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН
Проект создан при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ.
Ученые из новосибирского Института физики полупроводников ищут ответ на вопрос: как именно происходит эпитаксиальный рост на реальной кристаллической поверхности кремния на начальных стадиях осаждения как самого кремния, так и германия с оловом ― элементов одной группы с кремнием. И тут научный интерес разбивается на две ветви: с одной стороны, наука пытается описать, как с фундаментальной точки зрения взаимодействуют между собой одинаковые атомы и атомы различных материалов на кристаллической поверхности. С другой стороны, практической – они выясняют, как при конкретных ростовых условиях получить на подложке кремния однослойные и многослойные структуры с разным составом заданного кристаллического совершенства, применимые для создания перспективных низкоразмерных структур. Подробности в подкасте «3.14 Будущее наступило» у Алексей Петрова младшего научного сотрудника Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН
Проект создан при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ.